IRGS10B60KDTRLP

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRGS10B60KDTRLP
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IGBT WITH RECOVERY DIODE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRGS10B60KDTRLP PDF

Доступность

В наличии	278
Цена за единицу товара	$ 1.13000

IRGS10B60KDTRLP Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRGS10B60KDTRLP Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	22 A
ток - коллектор импульсный (icm):	44 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 10A
мощность - макс.:	156 W
переключение энергии:	140µJ (on), 250µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	38 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	30ns/230ns
условия испытаний:	400V, 10A, 47Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	90 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D2PAK

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.