RGT30NS65DGTL

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	RGT30NS65DGTL
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	RGT30NS65DGTL PDF

Доступность

В наличии	997
Цена за единицу товара	$ 1.95000

RGT30NS65DGTL Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RGT30NS65DGTL Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30 A
ток - коллектор импульсный (icm):	45 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 15A
мощность - макс.:	133 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	32 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	18ns/64ns
условия испытаний:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	55 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	LPDS (TO-263S)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.