STGWA75H65DFB2

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	STGWA75H65DFB2
Производитель	STMicroelectronics
Описание	TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	213 696
Цена за единицу товара	$ 4.63000

STGWA75H65DFB2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

STGWA75H65DFB2 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HB2
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	115 A
ток - коллектор импульсный (icm):	225 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 75A
мощность - макс.:	357 W
переключение энергии:	1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	207 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	28ns/100ns
условия испытаний:	400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	88 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247 Long Leads

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.