APT25GP120BDQ1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	APT25GP120BDQ1G
Производитель	Roving Networks / Microchip Technology
Описание	IGBT 1200V 69A 417W TO247
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	APT25GP120BDQ1G PDF

Доступность

В наличии	320 545
Цена за единицу товара	$ 9.58000

APT25GP120BDQ1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APT25GP120BDQ1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	POWER MOS 7®
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	PT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	69 A
ток - коллектор импульсный (icm):	90 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	417 W
переключение энергии:	500µJ (on), 440µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	110 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	12ns/70ns
условия испытаний:	600V, 25A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247 [B]

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.