TK10J80E,S1E

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TK10J80E,S1E
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	TK10J80E,S1E PDF

Доступность

В наличии	469 600
Цена за единицу товара	$ 2.73480

TK10J80E,S1E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK10J80E,S1E Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	π-MOSVIII
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.