TP65H300G4LSG

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TP65H300G4LSG
Производитель	Transphorm
Описание	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	TP65H300G4LSG PDF

Доступность

В наличии	240
Цена за единицу товара	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V
rds on (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
ВГС (макс.):	±18V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	21W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	3-PQFN (8x8)
упаковка / чехол:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.