BSG0813NDIATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSG0813NDIATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSG0813NDIATMA1 PDF

Доступность

В наличии	783 080
Цена за единицу товара	$ 1.24740

BSG0813NDIATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSG0813NDIATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Фет-функция:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A, 33A
rds on (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 12V
мощность - макс.:	2.5W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 155°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	PG-TISON-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.