SQS966ENW-T1_GE3

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SQS966ENW-T1_GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET N-CHAN 60V
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SQS966ENW-T1_GE3 PDF

Доступность

В наличии	725
Цена за единицу товара	$ 0.97000

SQS966ENW-T1_GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SQS966ENW-T1_GE3 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.8nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	572pF @ 25V
мощность - макс.:	27.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount, Wettable Flank
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8W Dual
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8W Dual

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.