Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину
| Часть производителя | R6530ENZC8 |
|---|---|
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 30A TO3 |
| Категория | дискретные полупроводниковые изделия |
| Семья | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Жизненный цикл: | New from this manufacturer. |
| Доставка: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Оплата | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Техническая спецификация | R6530ENZC8 PDF |
| В наличии | 9 038 870 |
|---|---|
| Цена за единицу товара | $ 0.00000 |
R6530ENZC8 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| Тип | Описание |
|---|---|
| серии: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 960µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 90 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.1 nF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 86W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-3 |
| упаковка / чехол: | TO-3P-3 Full Pack |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.
Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества