APTGT75A1202G

APTGT75A1202G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя APTGT75A1202G
Производитель Microsemi
Описание IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация APTGT75A1202G PDF

Доступность

В наличии 2 889 820
Цена за единицу товара $ 0.00000

APTGT75A1202G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APTGT75A1202G Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип IGBT:Trench Field Stop
конфигурация:Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):110 A
мощность - макс.:357 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 75A
ток - отсечка коллектора (макс.):50 µA
входная емкость (cis) @ vce:5.34 nF @ 25 V
вход:Standard
нтк термистор:No
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Chassis Mount
упаковка / чехол:SP2
пакет устройств поставщика:SP2

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top