IRG7PH35UD1-EP

IRG7PH35UD1-EP

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя IRG7PH35UD1-EP
Производитель Rochester Electronics
Описание IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация IRG7PH35UD1-EP PDF

Доступность

В наличии 950 719
Цена за единицу товара $ 2.77000

IRG7PH35UD1-EP Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRG7PH35UD1-EP Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип IGBT:Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):50 A
ток - коллектор импульсный (icm):150 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 20A
мощность - макс.:179 W
переключение энергии:620µJ (off)
тип ввода:Standard
заряд ворот:130 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:-/160ns
условия испытаний:600V, 20A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):-
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
упаковка / чехол:TO-247-3
пакет устройств поставщика:TO-247AD

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top