IRG8CH37K10F

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRG8CH37K10F
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	IGBT 1200V 100A DIE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRG8CH37K10F PDF

Доступность

В наличии	795 835
Цена за единицу товара	$ 4.53128

IRG8CH37K10F Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRG8CH37K10F Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	210 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	35ns/190ns
условия испытаний:	600V, 35A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.