Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину
| Часть производителя | BSM180C12P3C202 |
|---|---|
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Описание | SICFET N-CH 1200V 180A MODULE |
| Категория | дискретные полупроводниковые изделия |
| Семья | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Жизненный цикл: | New from this manufacturer. |
| Доставка: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Оплата | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Техническая спецификация | BSM180C12P3C202 PDF |
| В наличии | 2 |
|---|---|
| Цена за единицу товара | $ 492.00000 |
BSM180C12P3C202 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| Тип | Описание |
|---|---|
| серии: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 180A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5.6V @ 50mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | +22V, -4V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 9000 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 880W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Chassis Mount |
| пакет устройств поставщика: | Module |
| упаковка / чехол: | Module |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.
Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества