Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину
| Часть производителя | SISF02DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Описание | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
| Категория | дискретные полупроводниковые изделия |
| Семья | транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы |
| Жизненный цикл: | New from this manufacturer. |
| Доставка: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Оплата | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Техническая спецификация | SISF02DN-T1-GE3 PDF |
| В наличии | 45 |
|---|---|
| Цена за единицу товара | $ 1.63000 |
SISF02DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| Тип | Описание |
|---|---|
| серии: | TrenchFET® Gen IV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Фет-функция: | Standard |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 56nC @ 10V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2650pF @ 10V |
| мощность - макс.: | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8SCD |
| пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8SCD |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.
Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества