BSM400D12P2G003

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSM400D12P2G003
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	4
Цена за единицу товара	$ 2142.86000

BSM400D12P2G003 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM400D12P2G003 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	400A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 85mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	38000pF @ 10V
мощность - макс.:	2450W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.