FPF2C110BI07AS2

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FPF2C110BI07AS2
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	FPF2C110BI07AS2 PDF

Доступность

В наличии	717 704
Цена за единицу товара	$ 73.73357

FPF2C110BI07AS2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FPF2C110BI07AS2 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
мощность - макс.:	300 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	30-DIP Module
пакет устройств поставщика:	F2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.