FAM65HR51DS2

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FAM65HR51DS2
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT MODULE 650V 33A 135W
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	637 942
Цена за единицу товара	$ 62.75194

FAM65HR51DS2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FAM65HR51DS2 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Half Bridge Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	33 A
мощность - макс.:	135 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	4.86 nF @ 400 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.