BSM25GB120DN2

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSM25GB120DN2
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IGBT MODULE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSM25GB120DN2 PDF

Доступность

В наличии	43
Цена за единицу товара	$ 32.05000

BSM25GB120DN2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM25GB120DN2 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	*
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	-
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
мощность - макс.:	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	-
нтк термистор:	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.