BSM75GB170DN2HOSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSM75GB170DN2HOSA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IGBT, 110A I(C), 1700V V(BR)CES,
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSM75GB170DN2HOSA1 PDF

Доступность

В наличии	1 015
Цена за единицу товара	$ 93.33000

BSM75GB170DN2HOSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM75GB170DN2HOSA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1.7 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	110 A
мощность - макс.:	625 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 75A
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	11 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.