HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя HSG1002VE-TL-E
Производитель Rochester Electronics
Описание RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация HSG1002VE-TL-E PDF

Доступность

В наличии 519 687
Цена за единицу товара $ 0.30000

HSG1002VE-TL-E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HSG1002VE-TL-E Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип транзистора:NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):3.5V
частота - переход:38GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
прирост:8dB ~ 19.5dB
мощность - макс.:200mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 5mA, 2V
ток - коллектор (ic) (макс.):35mA
Рабочая Температура:-
тип крепления:Surface Mount
упаковка / чехол:4-SMD, Gull Wing
пакет устройств поставщика:4-MFPAK

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top