HGT1S12N60A4S9A

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HGT1S12N60A4S9A
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	HGT1S12N60A4S9A PDF

Доступность

В наличии	771 969
Цена за единицу товара	$ 0.00000

HGT1S12N60A4S9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGT1S12N60A4S9A Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	54 A
ток - коллектор импульсный (icm):	96 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	167 W
переключение энергии:	55µJ (on), 50µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	78 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/96ns
условия испытаний:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.