IRLMS2002GTRPBF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRLMS2002GTRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRLMS2002GTRPBF PDF

Доступность

В наличии	578 383
Цена за единицу товара	$ 0.00000

IRLMS2002GTRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRLMS2002GTRPBF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1310 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Micro6™(SOT23-6)
упаковка / чехол:	SOT-23-6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.