IRF6711STR1PBF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRF6711STR1PBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRF6711STR1PBF PDF

Доступность

В наличии	4 626 700
Цена за единицу товара	$ 0.00000

IRF6711STR1PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF6711STR1PBF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A (Ta), 84A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.35V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1810 pF @ 13 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET™ SQ
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric SQ

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.