EPC2012

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	EPC2012
Производитель	EPC
Описание	GANFET N-CH 200V 3A DIE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	EPC2012 PDF

Доступность

В наличии	577 964
Цена за единицу товара	$ 0.00000

EPC2012 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2012 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1.8 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	+6V, -5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	145 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Die
упаковка / чехол:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.