IRFSL31N20D

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRFSL31N20D
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 200V 31A TO262
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRFSL31N20D PDF

Доступность

В наличии	4 623 610
Цена за единицу товара	$ 0.00000

IRFSL31N20D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFSL31N20D Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HEXFET®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2370 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-262
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.