IRLR4343-701PBF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRLR4343-701PBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 55V 26A IPAK
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRLR4343-701PBF PDF

Доступность

В наличии	924 712
Цена за единицу товара	$ 0.00000

IRLR4343-701PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRLR4343-701PBF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HEXFET®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	26A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	740 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	79W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	I-PAK (LF701)
упаковка / чехол:	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.