GA10JT12-247

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	GA10JT12-247
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Описание	TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	GA10JT12-247 PDF

Доступность

В наличии	924 216
Цена за единицу товара	$ 0.00000

GA10JT12-247 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GA10JT12-247 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	-
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 10A
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	170W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247AB
упаковка / чехол:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.