IRF9910TRPBF-1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRF9910TRPBF-1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRF9910TRPBF-1 PDF

Доступность

В наличии	1 116 163
Цена за единицу товара	$ 0.00000

IRF9910TRPBF-1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF9910TRPBF-1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta), 12A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.55V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11nC, 23nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	900pF, 1860pF @ 10V
мощность - макс.:	2W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.