SI5920DC-T1-GE3

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SI5920DC-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SI5920DC-T1-GE3 PDF

Доступность

В наличии	558 035
Цена за единицу товара	$ 0.00000

SI5920DC-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI5920DC-T1-GE3 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	8V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A
rds on (max) @ id, vgs:	32mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	680pF @ 4V
мощность - макс.:	3.12W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead
пакет устройств поставщика:	1206-8 ChipFET™

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.