APTGT100A120D1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	APTGT100A120D1G
Производитель	Microsemi
Описание	IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	APTGT100A120D1G PDF

Доступность

В наличии	435 338
Цена за единицу товара	$ 0.00000

APTGT100A120D1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APTGT100A120D1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	150 A
мощность - макс.:	520 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	3 mA
входная емкость (cis) @ vce:	7 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	D1
пакет устройств поставщика:	D1

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.