CY14V116N-BZ30XI

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	CY14V116N-BZ30XI
Производитель	Rochester Electronics
Описание	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 30NS P
Категория	интегральные схемы
Семья	Память
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	CY14V116N-BZ30XI PDF

Доступность

В наличии	55
Цена за единицу товара	$ 64.40000

CY14V116N-BZ30XI Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CY14V116N-BZ30XI Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	NVSRAM
технологии:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
объем памяти:	16Mb (1M x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	30ns
время доступа:	30 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (15x17)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.