CY7C1426KV18-300BZC

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	CY7C1426KV18-300BZC
Производитель	Rochester Electronics
Описание	QDR SRAM, 4MX9, 0.45NS, CMOS, PB
Категория	интегральные схемы
Семья	Память
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	CY7C1426KV18-300BZC PDF

Доступность

В наличии	63
Цена за единицу товара	$ 44.84000

CY7C1426KV18-300BZC Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CY7C1426KV18-300BZC Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Synchronous, QDR II
объем памяти:	36Mb (4M x 9)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	300 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (13x15)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.