DS1230AB-100

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	DS1230AB-100
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Категория	интегральные схемы
Семья	Память
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	DS1230AB-100 PDF

Доступность

В наличии	4 218 860
Цена за единицу товара	$ 13.40000

DS1230AB-100 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DS1230AB-100 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	NVSRAM
технологии:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
объем памяти:	256Kb (32K x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	100ns
время доступа:	100 ns
напряжение - питание:	4.75V ~ 5.25V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
пакет устройств поставщика:	28-EDIP

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.