71V416L10YG

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	71V416L10YG
Производитель	Renesas Electronics America
Описание	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Категория	интегральные схемы
Семья	Память
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	71V416L10YG PDF

Доступность

В наличии	421 623
Цена за единицу товара	$ 5.97535

71V416L10YG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

71V416L10YG Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Asynchronous
объем памяти:	4Mb (256K x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	10ns
время доступа:	10 ns
напряжение - питание:	3V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
пакет устройств поставщика:	44-SOJ

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.