NSVEMD4DXV6T5G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NSVEMD4DXV6T5G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NSVEMD4DXV6T5G PDF

Доступность

В наличии	104 000
Цена за единицу товара	$ 0.10844

NSVEMD4DXV6T5G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NSVEMD4DXV6T5G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип транзистора:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	47kOhms, 10kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	47kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	-
мощность - макс.:	500mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666
пакет устройств поставщика:	SOT-563

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.