RN1710JE(TE85L,F)

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	RN1710JE(TE85L,F)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BER=
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	3 968
Цена за единицу товара	$ 0.41000

RN1710JE(TE85L,F) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RN1710JE(TE85L,F) Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	4.7kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	-
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	250MHz
мощность - макс.:	100mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-553
пакет устройств поставщика:	ESV

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.