HN1B04FE-GR,LF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HN1B04FE-GR,LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	HN1B04FE-GR,LF PDF

Доступность

В наличии	1 870
Цена за единицу товара	$ 0.31000

HN1B04FE-GR,LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HN1B04FE-GR,LF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN, PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	150mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
мощность - макс.:	100mW
частота - переход:	80MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666
пакет устройств поставщика:	ES6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.