NSV40300MDR2G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NSV40300MDR2G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NSV40300MDR2G PDF

Доступность

В наличии	2 500
Цена за единицу товара	$ 0.31000

NSV40300MDR2G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NSV40300MDR2G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 PNP (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	3A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	40V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	170mV @ 200mA, 2A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
мощность - макс.:	653mW
частота - переход:	100MHz
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SOIC

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.