FGH25N120FTDS

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FGH25N120FTDS
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT 1200V 50A 313W TO247
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	FGH25N120FTDS PDF

Доступность

В наличии	2
Цена за единицу товара	$ 7.94000

FGH25N120FTDS Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FGH25N120FTDS Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	*
упаковка:	TubeTube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	75 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	313 W
переключение энергии:	1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	169 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	26ns/151ns
условия испытаний:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	535 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.