STGWA80H65DFB

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	STGWA80H65DFB
Производитель	STMicroelectronics
Описание	IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	STGWA80H65DFB PDF

Доступность

В наличии	384 856
Цена за единицу товара	$ 7.14000

STGWA80H65DFB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

STGWA80H65DFB Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	120 A
ток - коллектор импульсный (icm):	240 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 80A
мощность - макс.:	469 W
переключение энергии:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	414 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	84ns/280ns
условия испытаний:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	85 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247 Long Leads

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.