IKB30N65ES5ATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IKB30N65ES5ATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IKB30N65 - TRENCHSTOPT HIGH SPEE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IKB30N65ES5ATMA1 PDF

Доступность

В наличии	900
Цена за единицу товара	$ 1.64000

IKB30N65ES5ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IKB30N65ES5ATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchStop™ 5
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	62 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 30A
мощность - макс.:	188 W
переключение энергии:	560µJ (on), 320µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	70 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/124ns
условия испытаний:	400V, 30A, 13Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	75 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.