IGB03N120H2ATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IGB03N120H2ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IGB03N120H2ATMA1 PDF

Доступность

В наличии	240 513
Цена за единицу товара	$ 1.11090

IGB03N120H2ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IGB03N120H2ATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	9.6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	9.9 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	62.5 W
переключение энергии:	290µJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	22 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	9.2ns/281ns
условия испытаний:	800V, 3A, 82Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.