AIHD10N60RFATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	AIHD10N60RFATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	IC DISCRETE 600V TO252-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	AIHD10N60RFATMA1 PDF

Доступность

В наличии	384 812
Цена за единицу товара	$ 1.19000

AIHD10N60RFATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

AIHD10N60RFATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	30 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 10A
мощность - макс.:	150 W
переключение энергии:	190µJ (on), 160µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	64 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	12ns/168ns
условия испытаний:	400V, 10A, 26Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-313

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.