IKW03N120H2FKSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IKW03N120H2FKSA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	DISCRETE IGBT WITH DIODE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IKW03N120H2FKSA1 PDF

Доступность

В наличии	3 415
Цена за единицу товара	$ 1.37000

IKW03N120H2FKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IKW03N120H2FKSA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1.2 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	9.6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	9.9 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	62.5 W
переключение энергии:	290µJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	22 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	9.2ns/281ns
условия испытаний:	800V, 3A, 82Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	42 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.