RGT8NS65DGC9

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	RGT8NS65DGC9
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	IGBT
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	1 000
Цена за единицу товара	$ 1.84000

RGT8NS65DGC9 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RGT8NS65DGC9 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	8 A
ток - коллектор импульсный (icm):	12 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
мощность - макс.:	65 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	13.5 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/69ns
условия испытаний:	400V, 4A, 50Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	40 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
пакет устройств поставщика:	TO-262

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.