IRG8P60N120KD-EPBF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IRG8P60N120KD-EPBF
Производитель	Rochester Electronics
Описание	IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IRG8P60N120KD-EPBF PDF

Доступность

В наличии	9 000
Цена за единицу товара	$ 6.91000

IRG8P60N120KD-EPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRG8P60N120KD-EPBF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1.2 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 40A
мощность - макс.:	420 W
переключение энергии:	2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	345 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	40ns/240ns
условия испытаний:	600V, 40A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	210 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247AD

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.