NGTB10N60R2DT4G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NGTB10N60R2DT4G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NGTB10N60R2DT4G PDF

Доступность

В наличии	2 630
Цена за единицу товара	$ 0.58000

NGTB10N60R2DT4G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NGTB10N60R2DT4G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	40 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 10A
мощность - макс.:	72 W
переключение энергии:	412µJ (on), 140µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	53 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	48ns/120ns
условия испытаний:	300V, 10A, 30Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	90 ns
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.