HGTP12N60A4D

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HGTP12N60A4D
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT 600V 54A TO220-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	HGTP12N60A4D PDF

Доступность

В наличии	211
Цена за единицу товара	$ 3.37000

HGTP12N60A4D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGTP12N60A4D Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	54 A
ток - коллектор импульсный (icm):	96 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	167 W
переключение энергии:	55µJ (on), 50µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	78 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/96ns
условия испытаний:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	30 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.