IKD04N60RAATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IKD04N60RAATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PARAL
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IKD04N60RAATMA1 PDF

Доступность

В наличии	1 681
Цена за единицу товара	$ 0.58000

IKD04N60RAATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IKD04N60RAATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchStop™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	8 A
ток - коллектор импульсный (icm):	12 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
мощность - макс.:	75 W
переключение энергии:	90µJ (on), 150µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	27 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	14ns/146ns
условия испытаний:	400V, 4A, 43Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	43 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.