IGD10N65T6ARMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IGD10N65T6ARMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	IGD10N65T6ARMA1
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IGD10N65T6ARMA1 PDF

Доступность

В наличии	320 475
Цена за единицу товара	$ 1.12000

IGD10N65T6ARMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IGD10N65T6ARMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchStop™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	23 A
ток - коллектор импульсный (icm):	42.5 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 8.5A
мощность - макс.:	75 W
переключение энергии:	200µJ (on), 70µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	27 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	30ns/106ns
условия испытаний:	400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.